Deuterium-treated semiconductor devices
經重氫處理的半導體裝置
US6,444,533
Semiconductor devices and methods for same
半導體裝置與其處理方法
US6,888,204
Semiconductor devices and methods for same
半導體裝置與其處理方法
Micron Technologies（美光）對上訴三件專利（專利權人：Illinois大學）提出IPR就是因為被告專利侵權（Illinois地方法院），這三件專利都涉及利用重氫（Deuterium）的半導體製程，訴訟中，地院法官同意等待三件專利的IPR異議結果。三件IPR案號分別為：IPR2013-00005、IPR2013-00006與IPR2013-00008。
顯然，IPR程序要求PTAB應在一年內作出決定的效率讓法院同意正視這個程序的專利有效性判斷。
IPR策略：US6,444,533（IPR2013-00005）與US6,888,204（IPR2013-00006）都是用一件先前技術就證明為顯而易見。
US6,888,204
此案涉及US6,888,204的爭議項Claim 10經四個檢驗顯而易見性的方法（four-way obviousness rejection）判斷後認定無效。
US6,444,533（IPR2013-00005）
針對US6,444,533，PTAB決定中引用美國最高法院KSR對於顯而易見性判斷的判例，決定中讓審查委員審理專利時允許在沒有明確教示的理由下判斷顯而易見性（...need not seek out precise teachings directed to the specific subject matter of the challenged claim...）。
KSR案例中摘錄：
從Claim 1來看，主要是界定出絕緣閘級（17）的厚度不小於55A，以及在半導體區與絕緣區之間的介面上形成重氫等的特徵。
1. A process for treating a semiconductor device including a semiconductor region and an insulating layer having an interface with the semiconductor region and a contact on said insulating layer overlying said interface, comprising the steps of forming said insulating layer with a thickness not exceeding about 55 Angstroms beneath said contact, and of annealing said semiconductor device, subsequent to completion of fabrication of said device, in an ambient including deuterium to form a concentration of deuterium at the interface between said semiconductor region and said insulating layer region effective to substantially reduce degradation of said device associated with hot carrier stress.
主要引證前案Lisenker（WO 1994019829）揭露一種Semiconductor device comprising deuterium atoms（包括重氫原子的半導體裝置），其中在矽晶圓表面上的重氫在與氧化矽介面上形成Si-D與Si-OD鍵。
核駁理由如下：
引用KSR判例：
IPR決定：
KSR相關報導：
http://enpan.blogspot.tw/2009/02/ksr-v-teleflex.html
http://enpan.blogspot.tw/2010/09/ksr-uspto.html（對USPTO的影響）
http://enpan.blogspot.tw/2013/11/ksr.html（KSR適用）
KSR最高法院判決：www.supremecourt.gov/opinions/06pdf/04-1350.pdf
後語：
IPR顯然在部份法院中可有效暫停訴訟程序（In August 2012, the district court granted Micron’s request for a stay of litigation in anticipation of filing IPR petitions under the then recently effective provisions of the America Invents Act (AIA), which went into effect in September 2012.），但聽說有些並非如此。
KSR判例的效果很大，一旦PTAB或法院過廣地解釋專利範圍時，有很大的機會會讓專利無效，因此不見得大家都會認同這樣沒有明顯證據的判斷，包括IPwatchdog板主就不認同，認為這樣的判斷並不夠客觀，CAFC也有類似的態度。
Ron
資料參考：
http://www.ipwatchdog.com/2014/04/02/the-ptab-kiss-of-death-to-university-of-illinois-patents/id=48829/
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